今年，中芯国际采用第二代7纳米工艺技术量产华为海思麒麟9000S处理器，震惊世界。但该公司似乎至少还有一个绝招：5nm 制造工艺，该工艺要么已经用于大批量制造 (HVM)，要么正处于开发的最后阶段。事实上，华为现在在其网站上列出了一款采用 5 纳米级工艺节点制造的芯片——基于 Arm 的八核海思 Kirin 9000C 处理器，配备适用于笔记本电脑的 Arm Mali-G78 显卡。华为网站

上的帖子称，青云L540笔记本电脑“搭载麒麟9006C芯片，采用5nm工艺技术，八核，最高主频高达3.13GHz，提供更高的性能、更低的功耗和更快的处理速度”。速度。” 麒麟 9006C 的通用核心频率高达 3.13 GHz，仅略低于台积电和苹果可以从原始台积电 N5 工艺技术中榨取的时钟（苹果 M1 高性能核心的最高频率为 3.20）兆赫）。与此同时，Kirin 9006C的峰值时钟频率看起来与台积电为华为生产的另一款芯片Kirin 9000相似。 

事实上，当台积电在 2020 年第二季度初开始批量生产采用其 N5（5 纳米级）制造技术制造的芯片时，华为并未被 美国商务部列入黑名单，该代工厂仍然可以发货 5 纳米芯片——它确实做到了数量巨大。华为于2020年8月下旬正式推出基于台积电N5的麒麟9000 SoC，并确认该芯片是在台湾制造的。

麒麟 9000 和麒麟 9006C 之间有许多相似之处，有些人可能会认为这表明华为正在利用三年前获得的库存来生产当前的 PC。虽然这可能是真的，但在三年内保留大量优质处理器（在台积电当时的领先节点上制造成本昂贵）并没有多大意义，特别是考虑到最初的 Kirin 9000 具有内置 5G 调制解调器（麒麟 9006C 可能缺少此功能），可用于高端智能手机，而不是廉价笔记本电脑。因此，该公司可能已转向中芯国际来制造处理器。

中芯国际能够突破 5 纳米障碍并不完全令人意外，因为持续不断的行业传言表明该代工厂即将进一步超出美国制裁规定的限制。“中芯国际正在通过 DUV 准备 5 纳米工艺，光掩模的使用量预计将进一步增加，”一位半导体行业专家最​​近告诉 The Elec。

虽然匿名评论者并不是特别可靠的消息来源，但这并不是第一次提到中芯国际的 5 纳米技术，该技术完全依赖于深紫外 (DUV) 光刻技术。中芯国际在 2020 年底简要提及了其后 7nm 制造工艺，而一位行业专家在 2022 年 9 月进一步强调了中芯国际的 5nm 野心。这两条评论都表明中芯国际已经在纯 DUV 5nm 节点上工作了相当长一段时间。该技术现在可能已经准备就绪，但尚未得到独立确认。

中芯国际确实拥有可以用来制造 5 纳米处理器的芯片制造工具。ASML Twinscan NXT:2000i 具有 ≤38nm 的分辨率，足以满足使用双图案光刻技术的 7nm 级批量生产。然而，5nm 级工艺技术需要更精细的分辨率。芯片制造商可以使用三重甚至四重图案来生产它。这种平版印刷技术涉及将复杂的图案分成几个更简单的图案，然后按顺序印刷以获得更高的精度和细节。多重图案化是一个棘手的工艺，会影响产量和每个晶圆上可使用的芯片数量，因此通常由于对芯片成本的影响而受到限制。 

我们不确定中芯国际是否已经开始量产其5纳米级技术的芯片。考虑到美国和中国之间的紧张关系，特别是对华为和中芯国际的限制，任何一家公司都不太可能完全披露其实际技术能力。一方面，尽管美国打压，生产5纳米级芯片享有盛誉；另一方面，华为和中芯国际都不希望他们的合作伙伴和工具供应商（或者他们如何获得设备或实际芯片）被美国及其盟友发现。