美光表示，将在LPDDR5X内存上采用新的工艺技术，提供最高的8.5 Gbps速率。1β工艺节点在性能、位密度和电源效率方面提供了显著的收益，而且还能降低DRAM成本，将带来广泛的市场优势。除了移动设备外，1β工艺节点还将提供低延迟、低功耗、高性能的DRAM，从智能车辆到数据中心的应用场景中都会受益。

在过去数年里，美光积极推进其制造和研发技术。去年美光开始使用1α工艺节点批量生产DRAM芯片，加上今年量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存，让其历史上首次确立了在DRAM和NAND领域的领导地位，而这次推出的1β工艺节点将进一步巩固了其市场优势。

与行业内很多企业不同，美光不打算在短期内使用极紫外（EUV）光刻技术来生产存储芯片，而是继续使用深紫外（DUV）光刻技术，同时在1β工艺节点上使用了其第二代HKMG技术，美光称，新工艺节点的能效提高约15%，位密度提高了35%以上，每颗芯片提供16Gb容量。

美光计划继续投资数十亿美元，将晶圆厂转变为技术领先、高度自动化、可持续发展、以及人工智能驱动的设施，其中包括对日本广岛工厂的投资。据了解，这间工厂将采用1β工艺节点批量生产DRAM。